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Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems.

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Die Photovoltaik spielt eine zentrale Rolle in der Energiewende, insbesondere durch die weit verbreiteten Silizium-Solarzellen, die kostengünstig produziert werden, jedoch eine Effizienz von unter 30 % aufweisen. Im Gegensatz dazu bieten Mehrfachsolarzellen aus III-V-Halbleitern deutlich höhere Wirkungsgrade, die bereits bis zu 47 % erreichen. Diese Technologien sind entscheidend für die zukünftige Entwicklung effizienter und nachhaltiger Energiequellen.

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Defekte in III-V Halbleitermaterialien des GaInAsP-Systems., Robin Lang

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