Synthese und Anwendung von mit Hilfe der metallorganischen Gasphasenabscheidung gewachsenen ZnO basierten II-VI Verbindungshalbleitern

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Das Ziel dieser Arbeit ist die Herstellung von ZnO- und ZnMgO-Schichten und Nanostrukturen mit Hilfe der metallorganischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) und deren Anwendung in elektrischen Komponenten. Für die Materialsynthese dienten Sauerstoff, DEZn und Cp 2 Mg als Präkursoren. Im einzelnen werden Zn(Mg)O Schichten/Nanostrukturen synthetisiert, charakterisiert und prozessiert. Hierauf aufbauend werden erfolgreich Dünnschichttransistoren, Gassensoren sowie Fotodetektoren realisiert.