Knihobot

Development of HfO2-Based Ferroelectric Memories for Future CMOS Technology Nodes

Parametry

  • 138 stránek
  • 5 hodin čtení

Nákup knihy

Development of HfO2-Based Ferroelectric Memories for Future CMOS Technology Nodes, Stefan Ferdinand Müller

Jazyk
Rok vydání
2016
product-detail.submit-box.info.binding
(měkká)
Jakmile se objeví, pošleme e-mail.

Doručení

Platební metody

Nikdo zatím neohodnotil.Ohodnotit