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On the evolution of InAs thin films grown on the GaAs(001) surface
A study using molecular beam epitaxy and scanning tunneling microscopy
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Die Untersuchung der InAs-Wetting-Schichtentwicklung zeigt, dass bei der Wachstumsregime von InAs auf GaAs(001) drei Wachstumsphasen identifiziert werden. Zunächst agglomeriert Indium in Gruppen von acht Atomen an energetisch günstigen Stellen. Bei einer Abdeckung von etwa 0,67 ML transformiert sich die Oberfläche in eine (4x3) rekonstruierte InGaAs-Monolage. Nach Abschluss dieser Schicht führt die akkumulierende Spannung zu einem Übergang von 2D- zu 3D-Wachstum, wodurch charakteristische dreidimensionale Inseln, die als Quantenpunkte bekannt sind, entstehen.
Nákup knihy
On the evolution of InAs thin films grown on the GaAs(001) surface, Jan Grabowski
- Jazyk
- Rok vydání
- 2011
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Doručení
Platební metody
2021 2022 2023
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- Titul
- On the evolution of InAs thin films grown on the GaAs(001) surface
- Podtitul
- A study using molecular beam epitaxy and scanning tunneling microscopy
- Jazyk
- německy
- Autoři
- Jan Grabowski
- Vydavatel
- Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften
- Rok vydání
- 2011
- Vazba
- měkká
- Počet stran
- 160
- ISBN13
- 9783838127163
- Kategorie
- Astronomie / Vesmír / Kosmonautika, Fyzika
- Anotace
- Die Untersuchung der InAs-Wetting-Schichtentwicklung zeigt, dass bei der Wachstumsregime von InAs auf GaAs(001) drei Wachstumsphasen identifiziert werden. Zunächst agglomeriert Indium in Gruppen von acht Atomen an energetisch günstigen Stellen. Bei einer Abdeckung von etwa 0,67 ML transformiert sich die Oberfläche in eine (4x3) rekonstruierte InGaAs-Monolage. Nach Abschluss dieser Schicht führt die akkumulierende Spannung zu einem Übergang von 2D- zu 3D-Wachstum, wodurch charakteristische dreidimensionale Inseln, die als Quantenpunkte bekannt sind, entstehen.