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AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.
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Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren, Björn Albrecht
- Jazyk
- Rok vydání
- 2017
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Doručení
Platební metody
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- Titul
- Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
- Jazyk
- německy
- Autoři
- Björn Albrecht
- Vydavatel
- Fraunhofer Verlag
- Vydavatel
- 2017
- ISBN10
- 3839611113
- ISBN13
- 9783839611111
- Série
- Science for systems
- Kategorie
- Skripta a vysokoškolské učebnice
- Anotace
- AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.