Gerichtete Erstarrung von einkristallinen Siliciumkristallen nach dem VGF-Verfahren für die Anwendung in der Photovoltaik

In dieser Dissertation werden das Wachstumsverhalten sowie die Defektbildung während der Züchtung von Quasi-Mono-Siliciumkristallen in einem Tiegel untersucht. Schwerpunkte liegen dabei auf der Ausbildung des multikristallinen Randwachstums und der Versetzungsentstehung an Keimstößen. Das in einem Laborofen hergestellte Kristallmaterial wird hierfür u. a. hinsichtlich der Kristallorientierung (Laue-Verfahren) und des Defekthaushalts (defektselektives Ätzen) charakterisiert.