Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen

Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden. In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i. e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.